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如果要在半导体基材上沉积氮化硅，有两种方法可供使用：

利用低压化学气相沉积技术在相对较高的温度下利用垂直或水平管式炉进行。

等离子体增强化学气相沉积技术在温度相对较低的真空条件下进行。

氮化硅的晶胞参数与单质硅不同。因此根据沉积方法的不同，生成的氮化硅薄膜会有产生张力或应力。---是当使用等离子体增强化学气相沉积技术时，能通过调节沉积参数来减少张力。

先利用溶胶凝胶法制备出二氧化硅，然后同时利用碳热还原法和氮化对其中包含特细碳粒子的硅胶进行处理后得到氮化硅纳米线。硅胶中的特细碳粒子是由---在1200-1350℃分解产生的。

氮化硅的许多 特性都归结为在此构造。纯si3n4为3119，常年回收废旧耐火砖厂家，有α和β二种分子结构，均为六角晶型，其溶解温度在空气中为1800℃，在110mpa氮中为1850℃。si3n4线膨胀系数低、导热率高，困穷耐高温破坏性---。压合煅烧的氮化硅加温到l000℃后资金投入凉水中也不容易。不在太高的温度下，si3n4具备较高的强度和耐冲击性，但在1200℃之上会随使用时间的提高而出---损坏，长年回收废旧耐火砖厂家，使其强度减少，在1450℃之上更易出---疲惫毁坏，因此si3n4的应用温度一般不超过1300℃。因为si3n4的基础理论相对密度低，比钢和工程项目超耐高温碳素钢轻得多，因此，在这些规定原材料具备高强度、耐热等特性的地区用si3n4瓷器去替代碳素钢是再适合但是了。它是用硅粉作原材料，先用一般成形的方式制成需要的样子，在n2以及1200℃的高溫下开展基本氮化，使在其中一部分硅粉与氮反映转化成氮化硅，这时候全部坯体早已具备一定的强度。随后在1350℃～1450℃的箱式电炉中开展二次氮化，反映成氮化硅。用压合煅烧法能制得做到基础理论相对密度99%的氮化硅。